再過一段時日就是亞洲區的農曆新年，正好碰上廠商大舉推出 64 層 3D 堆疊 TLC 快閃記憶體顆粒 SSD 的時段，成為相當有趣的現象，Intel 則是動作相當快速地於市場通路鋪貨 760p。760p 為該廠繼 600p 之後推出的第二款 M.2 NVMe 界面 SSD，提升效能之餘功耗也有顯著下降。
主要快閃記憶體廠商全員到齊
因應半導體製程微縮逐漸遇到瓶頸，更進一步需要投入大量的研發成本，目前世界上的龍頭也就只剩下 101 家，包含 Toshiba/SanDisk、Intel/Micron、Samsung 等，絕大部分的廠商都在近幾個月開始推出利用新一代 64 層 3D 堆疊快閃記憶體的 SSD，無論是 SATA 6Gb/s AHCI 或是 PCIe 3.0 x4 NVMe 介面。
而此次受測的 Intel 760p，或許是因為先行推出的老大哥 900P 過於耀眼的關係，竟然是先行從銷售通路傳出訊息，於此同時甚至還有採用 QLC 快閃記憶體類型的 660p 資訊。760p 雖然是繼 600p 之後該廠第二款 M.2 NVMe 介面產品，就各方面資料分析，不該視為 600p 的繼任者，而是補足 600p 至 HHHL 形式產品的市場空間。
Intel SSD 760p Series 規格
- 產品型號：SSDPEKKW512G8
- 外觀形式：M.2 2280
- 介面速度：PCIe 3.0 x4 NVMe
- 容量：512GB
- 寫入壽命：288TBW
- 電源需求：3.3V/1.31A
- 其它：1600000hrs MTBF
包裝設計依然簡樸
如同 Intel SSD 5 與 SSD 6 系列的包裝，760p 外盒採用同等尺寸，只是外包裝顏色略有變化。SSD 5 系列使用純藍色背景，SSD 6 則以此基礎加上綠色點綴，而 760p 改採橘紅以及紫色搭配，頗有依據效能定位而變化的意味存在。包裝紙盒依然只有印上 SSD 7 字樣，採用另外 1 張白色規格型號貼紙表明內容物為 760p 512GB，表示未來即便出現其它 700p 系列，也會採用相同包裝。
▲目前 Intel 消費市場 SSD 產品除了 900P 之外，其餘採用類似上帝光或是曲速航行的圖案背景，配上不同的顏色變化。
▲內容物產品資料以白色貼紙貼在盒裝背部封口。
內容物除了 760p 512GB 本體，僅有 1 份安裝說明與保證書，並未附贈 M.2 固定螺絲。依據 760p 系列的市場定位，筆者覺得可以附贈 1 張 SSD 7 series 小貼紙供使用者自行取用；不必如同過去 SSD 530 Speed Demon 這麼大張，採用處理器貼紙尺寸即可，替機殼一隅加上小裝飾。
▲內部僅包含 1 個 760p SSD 和安裝與保固說明書。
從用料特色找出端倪
撕下規格序號貼紙，映入眼簾的為 SMI T06B66.00 控制器，並於角落印上 Intel 標誌，應為 Intel 部分客製化的 SMI SM2262。該控制器 NVMe 支援 1.3 版本，快閃記憶體顆粒最多配置 8 通道/4CE，支援市面上主要廠商的 3D 堆疊快閃記憶體類型，並利用 NANDXtend ECC 技術延長使用壽命，其它技術包含端對端資料保護，SRAM ECC 等。
▲Intel 760p M.2 PCIe 3.0 x4 NVMe SSD。
省電性也是該控制器的特色之一，NVMe PS3 電源狀態耗電量為 50mW、NVMe PS4/PCIe L1.2 連結狀態則小於 5mW；整個 760p SSD 活動狀態耗電量則為 50mW、待機狀態 25mW、L1.2 為 5mW，相較 600p 的 100mW、40mW、5mW 可說是砍了一半。
▲SMI T06B66.00，為 SMI SM2262 的 Intel 部分客製化版本。
512GB 版本配上 2 顆編號為 29F02T4AOCTH2 快閃記憶體封裝，雖然 Intel 並未公布該系列顆粒編碼對照表，但就過去經驗 02T 表示容量為 2048Tb，也就是 256GB，以製造商 64 層 3D TLC 單一晶粒目前多為 256Gb 而言，單顆封裝就有 8 顆晶粒；通道數量搭配控制器規格 8 通道，意即單顆封裝具備 4 通道，每通道分配 2 顆晶粒的組合方式。
▲512GB 版本以 2 顆 29F02T4AOCTH2 快閃記憶體組成 512GB 容量。
有一點值得討論，顆粒容量配置相較 600p 的 Over Provision 比例約 12.5%，760p 可以說是幾乎沒有設置 Over Provision 空間，512GB 版本格式化後的容量約有 477GB。不過讀者也不必擔心耐用度問題，760p 與 600p 總耐寫量頗為一致，本次測試的 512GB 版本均為 288TBW，至於 128GB 與 256GB 版本則為 72TBW 和 144TBW，MTBF 均為 160 萬小時。不可回復讀取錯誤持續繼承小於 1 sector per 10^15 bits 等級，該公司更早之前的消費級產品小於 1 sector per 10^16 bits 應該是回不去了。
Intel 與 Micron 在快閃記憶體技術部分合作多年，雙方的顆粒可謂同一個模子刻出來的產品。相對於 Samsung/Toshiba/SanDisk 的 Charge Trap，Intel 第二代 3D 快閃記憶體使用該廠較為熟悉的浮動閘極（Floating Gating）技術，並採用 CMOS under the array 設計，把控制、解碼等線路放在儲存單元之下，提升晶圓使用效率的同時也降低製造成本。
▲512GB 版本的快取記憶體配置 2 顆 512MB DDR4。
760p 還有個特色，作為快取緩衝記憶體的動態記憶體容量較高，512GB 版本就配置 1GB 容量，128GB 和 256GB 都是 512MB，不清楚是否因為沒有 Over Provision 的緣故而加大。512GB 版本選擇 2 顆 Micron DDR4-2400 MT40A256M16GE-083E 512MB，128GB 和 256GB 則是採用 1 顆 Nanya LPDDR3-1600 NT6CL128M32BM-H2 512MB。
▲背部尚有 2 個快閃記憶體顆粒的焊點，推斷保留給未來 1GB 以上容量版本使用，快取記憶體或許也會提升至單顆 8Gb(x16)。
依據各容量版本差異，推測 128GB 快閃記憶體配置應該只有填滿控制器一半的通道數量，循序讀寫速度相較 256GB 和 512GB 版本相差甚遠，僅 1640MB/s 和 650MB/s，每秒指令則為 105000 IOPS 和 160000 IOPS。這種因為快取緩衝容量較大，導致寫入 IOPS 比讀取還要高的現象持續至 256GB，該容量版本讀寫為 205000 IOPS 和 265000 IOPS，循序讀寫為 3210MB/s 與 1315MB/s。
本次測試的 512GB 版本，循序讀寫則為 3230MB/s 和 1625MB/s，每秒指令數量則回歸讀取大於寫入的常態，分別為 340000 IOPS 和 275000 IOPS。保固部分一直都是採購 Intel SSD的重點之一，消費性產品無論市場定位為何，均提供 5 年保固。
▲760p 不同容量版本技術規格差異對照表，3 款均支援 AES 256bit 硬體加密。
▲使用 CrystalDiskInfo 檢測，該產品支援 NVMe 1.3 版本。
Solid-State Drive Toolbox
Intel 屬於率先替 SSD 產品提供管理軟體的先驅者之一，至今依然使用 Solid-State Drive Toolbox（以下簡稱為 SSD Toolbox），撰稿當下的最新版本 3.5.0 即支援 760p。SSD Toolbox 基礎功能提供 SSD 健康狀況以及韌體更新，進階部分則放進診斷掃描功能，用以檢測 SSD 是否能夠順利寫入資料並正確讀出。此外還加入 Secure Erase 擦除以及 System Tuner，後者因應 SSD 與傳統硬碟本質上的不同，調整部分作業系統功能。
▲SSD Toolbox 首頁提供健康狀態資訊。
▲Intel SSD Optimizer 觸發 Trim 指令，用來最佳化 SSD 表現。
▲診斷掃描 SSD 是否出現任何錯誤狀況，分為快速與全面 2 種。
▲根據作業系統的不同，System Tuner 自動判斷是否需要調整細部設定，需要變更時將於最後 1 格出現按鈕。
（下一頁：上機測試與結論分析）
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